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BSS123TA  与  BSS123N H6327  区别

型号 BSS123TA BSS123N H6327
唯样编号 A-BSS123TA A-BSS123N H6327
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 BSS123 Series 100 V 6 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET- SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 6Ω@100mA,10V 2.4Ω
上升时间 - 3.2ns
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 360mW(Ta) 500mW(1/2W)
Qg-栅极电荷 - 900pC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 410mS
典型关闭延迟时间 - 7.4ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 0.17A 190mA
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - BSS123
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 20pF @ 25V -
长度 - 2.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 22ns
典型接通延迟时间 - 2.3ns
高度 - 1.10mm
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS123TA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 当前型号
BSS123,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSS123_TO-236AB

¥0.4558 

阶梯数 价格
10: ¥0.4558
100: ¥0.3376
1,000: ¥0.2617
1,500: ¥0.2145
3,000: ¥0.1898
15,134 对比
BSS123N H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS123NH6327XTSA1_2.9mm

暂无价格 3,000 对比
PMV213SN,215 Nexperia  数据手册 通用MOSFET

PMV213SN_SOT23

¥1.7303 

阶梯数 价格
590: ¥1.7303
1,000: ¥1.3413
1,500: ¥1.0994
3,000: ¥1.0086
0 对比
BSS123-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比
BSS123L7874XT Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比

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